
TK35N65W5,S1F | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | TK35N65W5S1F-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | TK35N65W5,S1F |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 35H (Ta) 270W (Tc) TO-247 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | TK35N65W5,S1F Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 2.1mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 115 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4100 pF @ 300 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 270W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 95mOhm a 17.5A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFX64N60P3 | IXYS | 232 | 238-IXFX64N60P3-ND | $18.43000 | Similar |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | 280 | 448-IPW60R070P6XKSA1-ND | $7.67000 | Similar |
| SIHG35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG35N60E-GE3-ND | $3.68984 | Directo |
| SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 815 | SIHG40N60E-GE3-ND | $8.59000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $9.56000 | $9.56 |
| 30 | $5.60100 | $168.03 |
| 60 | $5.12900 | $307.74 |
| 120 | $4.73200 | $567.84 |
| 510 | $4.09555 | $2,088.73 |

